在采用碳热还原法制备单一碳化物粉体时，人们一般直接选用天然矿物和工业固体废弃物为原料，有时也先制备前驱体，进而再合成碳化物粉体。

    1. SiC粉体

    SiC有高温稳定型和低温稳定型两种晶型，约在2100℃时，低温稳定型会以很低的速率向高温稳定型转化。以石英砂、石英和硅石等为硅源，以石墨粉、无烟煤和石油焦炭等为碳源，在高温炉中约1800℃下进行碳热还原反应便可制得SiC粉体。虽然该方法存在一定缺点，但是由于生产原料易得且便宜生产工艺 简单，可实现规模工业化生产，在工业制备SiC粉体中独占鳌头。

    朱文振等以SiO₂和炭黑（物质的量比为1：4）为原料，Fe₂O₃为催化剂，采用碳热还原法制备出SiC粉体，获得的颗粒形状规则，且分散性好。

    仉小猛等和张淑会等以高硅铁尾矿和石墨（或炭黑）为原料制备出SiC粉体，获得的晶粒大小不均匀，形貌不规则。

    王超等以硅藻土、活性炭和Fe₂O₃为原料制备出SiC粉体，通过正交设计方差分析得出合成温度和保温时间是重要的影响因素。

    以稻壳为原料也能制备SiC粉体。古卫俊等以稻壳为原料，加入适量的铁粉和氟化钠粉作为添加剂，成功制备出SiC晶须。

    在采用碳热还原法制备SiC粉体时，有时先制备前驱体再制备所需粉体。以制备的前驱体为原料进行碳热还原法合成SiC时，因其成分均匀，反应物接触面积大，可显著促进反应进行，降低合成温度，缩短反应时间。

    潘顺龙等以水玻璃（工业级）和炭黑为原料，利用沉淀-喷雾干燥法制备前驱体，进而在1500℃保温5小时制备出低温稳定型SiC粉体。

    李智敏等以正硅酸乙酯和蔗糖为原料，无水乙醇和水为溶剂，利用溶胶-凝胶法制备反应前驱体，然后经碳热还原法制备SiC粉体。

    王福等以制备的蔗糖-硅溶胶和淀粉-硅溶胶前驱体为原料，于1700℃保温1小时制备出低温稳定型SiC粉体。

    2. TiC粉体

    TiC为混合键，主要用于制作熔炼金属的坩埚、TiC透明陶瓷和多孔陶瓷。利用碳热还原法在管式炉中用炭黑还原TiO₂，可制备出TiC粉体。此方法虽然保温时间长、粉体粗大，需要磨碎才能使用，可因其工艺成熟，原料来源丰富，在工业生产过程中仍有相当广泛的应用。

    向道平等以纳米TiO₂和炭黑为原料制备出超细的TiC粉体，颗粒大小均匀，仅部分粉体发生团聚。

    森维等以不同配比的颜料级TiO₂和木炭为原料，利用高频感应碳热还原法制备TiC粉体，性能良好。

    与直接采用碳热还原法合成TiC相比，先制备前驱体再进行碳热还原反应合成TiC，可降低合成温度100~200℃，也有利于改善粉体的形貌。

    黎茂祥等利用溶胶-凝胶法以钛酸四丁酯与酚醛树脂为原料，乙二醇甲醚为溶剂，冰乙酸为稳定剂，在硝酸催化下制备出凝胶前驱体，再在Ar气氛下经高温碳热还原制得TiC粉体。

    郑卓等以钛酸四丁酯和酚醛树脂为原料，利用溶胶-凝胶法制备前驱体，再以碳热还原反应制备TiC粉体。

    3. B₄C粉体

    碳化硼存在许多同分异构体，工业上制备B₄C粉体主要是通过碳热还原法，以H₃BO₄为原料，以含碳物质为还原剂，在电弧炉中1700~2300℃制备B₄C粉体。

    于国强等以工业H₃BO₄和炭黑为原料制备出B₄C粉体。曾洪等按照六方BN和炭黑（或石墨）的物质的量比为4:1配料，制备出B₄C粉体。颜正国等以66.79%的H₃BO₄和33.21%的炭黑为原料制备出B₄C-C复合粉体。

    4. ZrC粉体

    ZrC为耐高温材料，工业上制备ZrC粉体是以ZrSiO₄或ZrO₂和炭黑为原料，在电弧炉中碳热还原反应高温制得。

    李庆刚等以适当比例的PZC和酚醛树脂加入到二甲苯中制备前驱体，然后经碳热还原法制备球状ZrC粉体，此方法制备的ZrC颗粒尺寸小，分布范围窄，几乎无团聚。

    黄庆等先以四氯化锆和邻二苯酚为原料合成前驱体，经碳热还原反应制备ZrC粉体。此法获得的ZrC颗粒尺寸均匀。

    周晓波等以八氯氧化锆、丙醇、丙三醇和乙酰丙酮制备前驱体，经碳热还原反应制备ZrC粉体，生成的颗粒分布范围宽，从几纳米到几微米，形状不规则。

    5.Mo₂C粉体

    Mo₂C粉体硬度大，耐酸碱腐蚀，可作为涂层材料用于耐磨耐腐蚀部件的防护，也可作为脱硫催化剂应用于石油行业。

    杨瑞嵩等利用熔盐介质中的球磨钼粉和活性炭制备Mo₂C粉体，生成的颗粒随着保温时间的年长，晶粒长大。

    Yang等在熔盐介质中将钼粉和碳粉球磨10小时，在1000℃保温1小时，制备出粒径在0.5~1微米的Mo₂C粉体。

    赵立红等以柠檬酸和钼酸铵为原料，采用程序升温碳化反应法合成出纳米级的低温稳定型Mo₂C粉体。

    6.Al₈B₄C₇粉体

    Inomata等在1980年首次发现了三元化合物Al₈B₄C₇，因其具有良好的高温稳定性和抗氧化性能，而被作为半导体材料和高温结构材料。

    Hashimoto等以铝粉、B₄C和石墨粉为原料，按照其物质的量比为8:1:6进行配比，在氩气气氛下制备出粒径小于40微米的Al₈B₄C₇粉体。

    崔鹏以铝粉、B₂O₃和活性炭以及酚醛树脂、无水乙醇为原料制备出Al₈B₄C₇复合粉体。